RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
56
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2690
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link