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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
56
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
38
读取速度,GB/s
4,387.7
12.9
写入速度,GB/s
1,813.5
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2690
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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