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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
87
左右 -102% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
43
读取速度,GB/s
3,155.6
14.6
写入速度,GB/s
870.4
13.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3252
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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