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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
56
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3000
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
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