RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
56
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
32
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3000
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link