RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
56
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3142
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link