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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,387.7
16.5
写入速度,GB/s
1,813.5
15.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3142
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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