RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
56
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3515
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link