RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
56
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
26
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3515
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link