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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
56
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
16.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3866
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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