RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
56
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3432
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link