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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,387.7
17.1
写入速度,GB/s
1,813.5
13.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3432
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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