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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
38
读取速度,GB/s
9.7
16.4
写入速度,GB/s
7.2
13.7
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3206
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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