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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
52
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
25600
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
3206
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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