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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
52
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
14900
Intorno 1.72 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
38
Velocità di lettura, GB/s
9.7
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
25600
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
3206
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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