Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Pontuação geral

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 13.9

Valor médio nos testes

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Razões a considerar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

37 56

Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.2 1,813.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 6400

Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

56 37
Velocidade de leitura, GB/s

4,387.7 13.9
Velocidade de escrita, GB/s

1,813.5 10.2
Largura de banda de memória, mbps

6400 17000

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

693 2191

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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