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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.7
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
52
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
41
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2126
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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