Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    9.7 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 52
    Около -27% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 14900
    Около 1.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    52 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.7 left arrow 8.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2173 left arrow 2126
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения