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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
52
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2960
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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