RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
2833
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link