RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
96
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.5
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
45
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
10.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
6.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2142
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link