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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
总分
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
总分
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
96
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
1,336.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
96
45
读取速度,GB/s
2,725.2
10.7
写入速度,GB/s
1,336.0
6.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
438
2142
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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