RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Comparar
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
44
44
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1927
2069
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link