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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Comparez
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
44
44
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1927
2069
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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