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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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更快的读取速度,GB/s
13
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
44
读取速度,GB/s
11.5
13.0
写入速度,GB/s
7.7
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
2069
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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