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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de 42% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2556
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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