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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
AMD R7416G2133U2S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
78
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R7416G2133U2S 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
78
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1594
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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