RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
26
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3220
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link