RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2960
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link