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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3226
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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