RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3619
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link