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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
67
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
67
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1895
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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