RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3402
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link