RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2984
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link