RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
53
Por volta de 51% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
53
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2755
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link