RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2962
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link