RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2559
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link