RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2689
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link