RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2975
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link