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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
26
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3281
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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