RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3540
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link