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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3878
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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