RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
26
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
17
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
22.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
18.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3847
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link