RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3937
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link