RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3092
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link