RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2417
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link