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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3169
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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