RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
76
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
76
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1887
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link