RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3260
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link