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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2530
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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